關鍵特性

　　超薄厚度：

　　鉬箔：厚度≤0.1mm（常見0.01~0.1mm），可低至5μm（需特殊工藝）。

　　鉬片：厚度0.1~1mm，兼顧強度與可塑性。

　　高純度：≥99.95%（3N5）或更高（如99.99%），雜質少，避免高溫晶界脆化。

　　表面精度：需拋光或電解處理，粗糙度Ra≤0.2μm（用于電子器件）。

　　柔性加工：極薄鉬箔可彎曲或沖壓成復雜形狀（但需避免反復彎折導致斷裂）。

　　核心應用

　　鉬箔（超薄）

　　電子封裝：功率半導體（如IGBT）的散熱襯底。

　　柔性顯示：OLED蒸鍍掩膜板（替代傳統因瓦合金）。

　　核工業：同位素分離膜、輻射屏蔽層。

　　科研領域：同步輻射光源窗口材料（高透光率與耐輻射性）。

　　鉬片（稍厚）

　　真空電子器件：行波管、磁控管電極。

　　高溫傳感器：熱電偶保護套、高溫反應容器內襯。

　　光伏背板：薄膜太陽能電池的柔性基底（需表面鍍銅或鋁）。

　　生產工藝

　　軋制技術：

　　多道次冷軋（厚度<0.1mm需20道次以上），中間退火（1200℃氫氣環境）消除加工硬化。

　　箔材需箔軋機（如森吉米爾軋機），控制張力防斷帶。

　　表面處理：

　　電解拋光：減少微裂紋，提高表面光潔度。

　　等離子清洗：去除有機物殘留（用于半導體工藝）。

　　切割工藝：激光切割或精密蝕刻（避免機械應力導致翹曲）。