基本特性

　　高熔點：2620°C，適合高溫環境（如真空爐、半導體工藝）。

　　高強度：抗拉強度高，尤其在高溫下仍保持良好機械性能。

　　低熱膨脹系數：與玻璃、陶瓷匹配，用于電子封裝。

　　良好導熱/導電性：適用于電子元件散熱層或電極。

　　耐腐蝕性：耐熔融玻璃、金屬鹽的侵蝕，但高溫下易氧化（需惰性氣體保護）。

　　常見規格

　　厚度：0.01mm~0.2mm（超薄箔可達微米級）。

　　寬度：通常≤300mm（可定制更大尺寸）。

　　純度：≥99.95%（高純級用于半導體）。

　　主要應用

　　電子工業：

　　半導體芯片的襯底、濺射靶材。

　　柔性電路、薄膜太陽能電池的電極材料。

　　高溫領域：

　　真空爐隔熱屏、高溫傳感器基板。

　　藍寶石單晶生長爐的支撐襯墊。

　　航空航天：

　　火箭噴嘴、衛星部件的耐高溫涂層基材。

　　醫療：X射線管旋轉陽極的基底材料。